Güney Koreli bellek üreticisi SK Hynix, DDR5 çok kanallı birleştirilmiş çift sıralı bellek modülünü (MCR DIMM) başarıyla geliştirdiğini ve 8 Gb/sn veri aktarım hızına ulaştığını duyurdu.
SK hynix’e göre bu yeni RAMler sektördeki en hızlı sunucu DRAM ürünü olacak ve sıradan DDR-4800’den %80 daha fazla performans sağlayacak.
SK hynix, DDR5 RAMlerinin veri aktarım hızını artırmak için yeni bir yaklaşım benimsemiş.
Genel olarak DDR5’in çalışma hızı, tek bir DRAM kalıbının hızına göre belirlenir.
SK Hynix, bireysel DRAM yongaları yerine tüm modülün hızını artırarak daha yüksek hızlara ulaşmanın başka bir yolunu bulmuştur.
Ürün tasarımı, aynı anda iki bellek aşamasını çalıştırmak için MCR DIMM’de kurulu veri arabelleğini (veri arabelleği) kullanan Intel MCR teknolojisine dayanmaktadır.
SK Hynix ayrıca, geleneksel DRAM modüllerinin CPU’ya bir seferde yalnızca 64 bayt veri aktarabileceğini de duyurdu.
MCR DIMM modüllerinde, aynı anda çalışan iki bellek sırası CPU’ya 128 bayt veri aktarabiliyor.
Bu tasarım, her seferinde CPU’ya aktarılan veri miktarını artırır ve veri aktarım hızı, tek bir DRAM’in iki katı olan 8Gbps’nin üzerine çıkar.
SK Hynix ayrıca kendi DRAM modülü tasarım yeteneklerini Intel Xeon işlemcilerle birleştirmek için Intel ve Renesas Electronics ile yakın işbirliği içinde çalışıyor.
Renesas’ın tampon teknolojileri, geliştirmeden performans doğrulamaya kadar tüm aşamalarda entegre edildi ve hızlandırıldı.
SK Hynix, yüksek performanslı bilgi işlemin artan bellek bant genişliği talebi nedeniyle MCR DIMM modülleri pazarının kademeli olarak açılmasını bekliyor.
SK Hynix, gelecekte bu ürünü seri üretmeyi planlıyor, ancak spesifik seri üretim süresini açıklamadı.
